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| Melting Point | 980ºC(lit.) |
|---|---|
| Density | 5.62 g/mL at 25 °C(lit.) |
| 精确质量 | 191.84500 |
| 外观性状 | pieces |
| 储存条件 | 常温密闭，阴凉通风干燥 |
| 稳定性 | 常温常压下稳定 避免的物料 氧化物 酸 碱 锑化镓单晶的重要特征是无论用什么方法制备，室温下最高纯度的锑化镓单晶总是Ｐ型，其机理尚不完全清楚，一种主要观点认为是由过剩Ｓｂ空位造成的。它的价带自旋轨道的分裂可以得到空穴离化系数增大的能级，可改善长波长雪崩光电探测器（ＡＰＤ）的信噪比。由于ＧａＳｂ单晶的临界屈服应力较大（１５．８Ｎ／ｍｍ２），故其位错密度不高（不超过１０３数量级），适于制作ＧａＩｎＳｂ／ＧａＡｌＡｓＳｂ激光器、ＧａＩｎＡｓＳｂ探测器和ＧａＡｓ／ＧａＳｂ叠层太阳电池（转换效率超过３０％）。 |
| 计算化学 | 1.疏水参数计算参考值（XlogP）:无 2.氢键供体数量:0 3.氢键受体数量:0 4.可旋转化学键数量:0 5.互变异构体数量:无 6.拓扑分子极性表面积0 7.重原子数量:2 8.表面电荷:0 9.复杂度:10 10.同位素原子数量:0 11.确定原子立构中心数量:0 12.不确定原子立构中心数量:0 13.确定化学键立构中心数量:0 14.不确定化学键立构中心数量:0 15.共价键单元数量:1 |
| 更多 | 1. 性状：类似锗的化合物型半导体，灰白色，立方晶系闪锌矿型结晶。 2. 密度（g/mL,25℃）：5.61 3. 相对蒸汽密度（g/mL,空气=1）：未确定 4. 熔点（ºC）：706 5. 沸点（ºC,常压）：未确定 6. 沸点（ºC，1mmHg）：未确定 7. 折射率：未确定 8. 闪点（ºC）：未确定 9. 比旋光度（º）：未确定 10. 自燃点或引燃温度（ºC）：未确定 11. 蒸气压（20ºC）：未确定 12. 饱和蒸气压（kPa,60ºC）：未确定 13. 燃烧热（KJ/mol）：未确定 14. 临界温度（ºC）：未确定 15. 临界压力（KPa）：未确定 16. 油水（辛醇/水）分配系数的对数值：未确定 17. 爆炸上限（%,V/V）：未确定 18. 爆炸下限（%,V/V）：未确定 19. 溶解性：不溶于水 |
GHS 安全数据与合规
刺激 / 环境危害警示词： 警告
- 吞咽有害
- 吸入有害
- 对水生生物有毒并具有长期持续影响