非晶硅薄膜
别名 / 同义词: Amorphous silicon film、Cyclotrisilane、Trisilirane
非晶硅薄膜（CAS 12597-37-4）是晶世纪化学数据库收录的无机化合物。分子式为 H6Si3，分子量为 90.304 g/mol。又称 Amorphous silicon film、Cyclotrisilane、Trisilirane。目前暂无供应商报价，可通过联系页询价。数据更新于 2026年8月21日。
- CAS号
- 12597-37-4
- 晶世纪编号
- J-1347753-0
- 分子式
- H6Si3
- 分子量
- 90.304 g/mol
- 分类
- 无机化合物
- 更新时间
- 2026/8/21
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获取报价基础理化性质
| 精确质量 | 89.977730 |
|---|---|
| 储存条件 | 产品应贮存放在阴凉、通风、干燥、清洁、无化学药品腐蚀气氛的库房内，在运输和贮存过程中要防止机械损伤、受潮和化学腐蚀性物品腐蚀。 |
| 稳定性 | 非晶硅是元素硅的非晶态半导体。它的吸收系数比单晶硅大一个数量级，其吸收光谱更接近太阳光谱，有良好的光电导特性。制备非晶硅时消耗原材料少，主要原料硅烷（SiH4）成本低。可用玻璃、金属、聚合物和陶瓷等不同材料作衬底，衬底还可是弯曲的或柔性的。工艺简单，易于沉积大面积薄膜。它能与硅集成技术兼容，易于实现集成化。因为优质的非晶硅中常含有较多的氢，又称为非晶硅氢合金或氢化非晶硅 |
制备 / 合成方法
1.非晶硅太阳电池的制备方法很多，最常见的是辉光放电法［即等离子体增强化学气相沉积法（PECVD法），因为PECVD法中等离子状态大多属于低压辉光放电，故又称为辉光放电法（GD法）］，此外还有反应溅射法（SP法）、低压化学气相沉积法（LPCVD法）、电子束蒸发法和热分解硅烷法等。利用辉光放电制取非晶硅薄膜的尝试早在1969年奇蒂克等人就已实现，但对此种半导体硅材料进行掺杂，则是在1975年以后才突破的。美国于1976年采用此种方法制成非晶硅太阳电池。PECVD设备主要包括放电系统、抽气系统、反应室及气体导入系统。其简单过程是：将一个石英容器抽成真空，充入氢气或氮气稀释的硅烷。射频电源用电容或电感耦合方式加在反应器外侧的电极上，使硅烷电离，产生化学上非常活泼的激发态分子、离子，促进化学反应，非晶硅膜就沉积在温度为200～300℃的衬底表面上形成薄膜。若硅烷中混入适当比例的PH5或B2H6，即可得到N型或P型的非晶硅膜。作为衬底材料，可用不锈钢或玻璃等。这种制备非晶硅膜的工艺，在很大程度上取决于气压、衬底温度、气体流速和射频功率等许多方面，控制条件十分严格。
常见问题
非晶硅薄膜 的 CAS 号是多少？
非晶硅薄膜 的 CAS 号是 12597-37-4。
非晶硅薄膜 的分子式和分子量是什么？
非晶硅薄膜 的分子式为 H6Si3，分子量为 90.304 g/mol。
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更新时间:
引用格式: 晶世纪. “非晶硅薄膜 (CAS 12597-37-4)”. 晶世纪化学数据库. https://www.jingsj.com/zh/compound/J-1347753-0（访问日期：2026-10-28）。
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