商品名:二氧化硅
                            
                                别 名:硅氧,硅土,硅酐,白炭黑,水晶,石英,硅石,氧化硅
Silica
Silicic anhydride
Cristobalite
Quartz
Sand
                            
                                英文名:Silicon dioxide
                            
                                产 地:湖南
                            
                                Cas号:60676-86-0
                            
                                MDL:MFCD00011232
                            
                                Beilstein:
                            
                                EINECS:262-373-8
                           
                                分子结构: 
                            
                             
                                分子式:SiO2
                            
                               分子量:60.0800
                            
                                备注:以下描述,仅作参考,并不表示您收到的产品,与此项描述完全相符,产品的出厂标准,请参见相关批次质量标准。
                            
                                性状:无色透明结晶或无定形粉末。无臭。无味。热膨胀系数是已知物质中最小的。熔融物呈玻璃状。溶于过量氢氟酸生成四氟化硅气体。能被热的浓磷酸侵蚀。几乎不溶于水或其他酸。无定形粉末能在浓碱溶液中缓慢溶解。能与熔融的碱类起作用,生成可溶性硅酸盐。相对密度2.2(无定形)、(d0)2.65(石英)。熔点1710℃(方石英)、1670℃(鳞石英)。有刺激性。(市售石英砂为白色细小颗粒结晶的二氧化硅)。
                            
                                质量标准:Q/(HG)SJ 510-91(轻质)
项目ltem                   分析纯  化学纯
                             (AR)    (CP)
灼烧失重Ignition loss,%              ≤ 1.5     3.0
氯化物(Cl)Chloride,%                 ≤ 0.001   0.005
铁(Fe)Iron,%                         ≤ 0.002   0.005
氢氟酸不挥发物Novolatile
in hydrofluoric acid,%               ≤ 0.2     0.5
项目ltem                   分析纯   化学纯
                             (AR)      (CP)
粒度(270目)Granisize,%               ≥ 90         90
含量(SiO2)Assay,%                    ≥ 99.5       99.0
灼烧失重Ignition loss,%              ≤ 2.0        3.0
氯化物(Cl)Chloride,%                 ≤ 0.001      0.005
铁(Fe)Iron,%                         ≤ 0.002      0.005
项目ltem                   分析纯   化学纯
                             (AR)      (CP)
水可溶性物Soluble matter
in water,%                           ≤ 0.2       0.5
氢氟酸中不挥发物Novolatile
in hydrofluoric acid,%               ≤ 1.0       2.0
干燥失重Drying loss,%                ≤ 7.0       10.0
氯化物(Cl)Chloride,%                 ≤ 0.005     0.01
硫酸盐(以SO4计)Sulfale,%             ≤ 0.005     0.01
钙(Ca)Calcium,%                      ≤ 0.005     0.01
铁(Fe)Iron,%                         ≤ 0.005     0.01
重金属(以Pb计)Heavy metals,%         ≤ 0.005     0.01
99.5%,30±5nm :
外观Appearance (Color)                  类白色粉末
干燥损失Loss on Ignition (1100 °C, 1 Hr) ≤2.0 %
纯度Purity                              ≥99.5% (GC) 
Size                                    50±5nm
ICP: Confirms Silicon Component Confirmed 
Trace Metal Analysis                    ≤5000.0 ppm 
99.99%:
外观Appearance (Color)                  类白色粉末
干燥损失Loss on Ignition (1100 °C, 1 Hr)≤1.0 %
纯度Purity                              ≥99.99% 
ICP:                                     Confirms Silicon Component Confirmed 
Trace Metal Analysis                    ≤200.0 ppm 
亲水气相二氧化硅Hydrophilic-150型(HL-150):*
比表面积Specific surface area (BET) m2/g          150±15
悬浮液pH值(4%)pH-value in 4% dispersion         3.7~4.5 
干燥失重Loss on drying ( 105℃干燥2小时 )  %      ≤1.5 
灼烧减量Loss on ignition(1000℃燃烧 2h ,基于105℃干燥2h后产物 ) % ≤1.5 
粒径particle size                                7~40nm
晒余物Sieve residue (45μm) %                     ≤0.04
二氧化硅含量Silica content (基于灼烧后产物) %    ≥99.8 
表现密度Tamped density (基于105℃干燥2h后产物)   40~60g/L 
碳含量Carbon content (基于105℃干燥2h后产物 ), % ≤0.15
亲水气相二氧化硅Hydrophilic-200型(HL-200):*
比表面积Specific surface area (BET) m2/g          200±20
悬浮液pH值(4%)pH-value in 4% dispersion         3.7~4.5 
干燥失重Loss on drying ( 105℃干燥2小时 )  %      ≤2.0 
灼烧减量Loss on ignition(1000℃燃烧 2h ,基于105℃干燥2h后产物 ) % ≤2.0 
粒径particle size                                7~40nm
晒余物Sieve residue (45μm) %                     ≤0.04
二氧化硅含量Silica content (基于灼烧后产物) %    ≥99.8 
表现密度Tamped density (基于105℃干燥2h后产物)   40~60g/L 
碳含量Carbon content (基于105℃干燥2h后产物 ), % ≤0.15
亲水气相二氧化硅Hydrophilic-200B型(HL-200B):比表面积为200m2/g *
是一种高纯度和低氯化物含量的白色粉末
比表面积Specific surface area (BET) m2/g          200±20
悬浮液pH值(4%)pH-value in 4% dispersion         3.7~4.5 
干燥失重Loss on drying ( 105℃干燥2小时 )  %      ≤2.0 
灼烧减量Loss on ignition(1000℃燃烧 2h ,基于105℃干燥2h后产物 ) % ≤2.0 
粒径particle size                                7~40nm
晒余物Sieve residue (45μm) %                     ≤0.02
二氧化硅含量Silica content (基于灼烧后产物) %    ≥99.8 
表现密度Tamped density (基于105℃干燥2h后产物)   40~60g/L 
碳含量Carbon content (基于105℃干燥2h后产物 ), % ≤0.15
氯化物含量Chloride content(基于105℃干燥2h后产物 ),0.0125
亲水气相二氧化硅Hydrophilic-300型(HL-300):*
比表面积Specific surface area (BET) m2/g          300±25
悬浮液pH值(4%)pH-value in 4% dispersion         3.7~4.5 
干燥失重Loss on drying ( 105℃干燥2小时 )  %      ≤2.5 
灼烧减量Loss on ignition(1000℃燃烧 2h ,基于105℃干燥2h后产物 ) % ≤2.5 
粒径particle size                                7~40nm
晒余物Sieve residue (45μm) %                     ≤0.04
二氧化硅含量Silica content (基于灼烧后产物) %    ≥99.8 
表现密度Tamped density (基于105℃干燥2h后产物)   40~60g/L 
碳含量Carbon content (基于105℃干燥2h后产物 ), % ≤0.15
亲水气相二氧化硅Hydrophilic-380型(HL-380):*
比表面积Specific surface area (BET) m2/g          380±20
悬浮液pH值(4%)pH-value in 4% dispersion         3.7~4.5 
干燥失重Loss on drying ( 105℃干燥2小时 )  %      ≤2.5 
灼烧减量Loss on ignition(1000℃燃烧 2h ,基于105℃干燥2h后产物 ) % ≤2.5 
粒径particle size                                7~40nm
晒余物Sieve residue (45μm) %                     ≤0.04
二氧化硅含量Silica content (基于灼烧后产物) %    ≥99.8 
表现密度Tamped density (基于105℃干燥2h后产物)   40~60g/L 
碳含量Carbon content (基于105℃干燥2h后产物 ), % ≤0.15
疏水气相二氧化硅Hydrophobic-115型(HB-215):*
比表面积Specific surface area (BET) m2/g          115±15
悬浮液pH值(4%)pH-value in 4% dispersion        3.7~4.5
(水和乙醇按照1:1比例混合) 
干燥失重Loss on drying ( 105℃干燥2小时 )  wt%     ≤0.5 
灼烧减量Loss on ignition(1000℃燃烧 2h ,基于105℃干燥2h后产物 ) wt% ≤2.5 
粒径particle size                                7~40nm
晒余物Sieve residue (45μm) %                     -- 
二氧化硅含量Silica content (基于灼烧后产物) wt%    ≥99.8 
表现密度Tamped density (基于105℃干燥2h后产物)   25~60g/L 
碳含量Carbon content (基于105℃干燥2h后产物 ), wt% 0.6 ~1.2
疏水气相二氧化硅Hydrophobic-170型(HB-220型):*
比表面积Specific surface area (BET) m2/g          170±20
悬浮液pH值(4%)pH-value in 4% dispersion        3.7~4.5
(水和乙醇按照1:1比例混合) 
干燥失重Loss on drying ( 105℃干燥2小时 )  wt%     ≤0.5 
灼烧减量Loss on ignition(1000℃燃烧 2h ,基于105℃干燥2h后产物 ) wt% ≤2.5 
二氧化硅含量Silica content (基于灼烧后产物) wt%    ≥99.8 
表现密度Tamped density (基于105℃干燥2h后产物)   40~60g/L 
碳含量Carbon content (基于105℃干燥2h后产物 ), wt% 0.7 ~1.3
疏水气相二氧化硅Hydrophobic-120型(HB-615):*
比表面积Specific surface area (BET) m2/g          120±15
悬浮液pH值(4%)pH-value in 4% dispersion        5.5~7.5
(水和乙醇按照1:1比例混合) 
干燥失重Loss on drying ( 105℃干燥2小时 )  wt%     ≤0.5 
灼烧减量Loss on ignition(1000℃燃烧 2h ,基于105℃干燥2h后产物 ) wt% ≤4.0 
二氧化硅含量Silica content (基于灼烧后产物) wt%    ≥99.8 
表现密度Tamped density (基于105℃干燥2h后产物)   40~60g/L 
碳含量Carbon content (基于105℃干燥2h后产物 ), wt% 1.0 ~2.0
疏水气相二氧化硅Hydrophobic-230型(HB-630):*
比表面积Specific surface area (BET) m2/g          230±25
悬浮液pH值(4%)pH-value in 4% dispersion        5.5~8.0
(水和乙醇按照1:1比例混合) 
干燥失重Loss on drying ( 105℃干燥2小时 )  wt%     ≤0.5 
灼烧减量Loss on ignition(1000℃燃烧 2h ,基于105℃干燥2h后产物 ) wt% ≤4.0 
二氧化硅含量Silica content (基于灼烧后产物) wt%    ≥99.8 
表现密度Tamped density (基于105℃干燥2h后产物)   40~60g/L 
碳含量Carbon content (基于105℃干燥2h后产物 ), wt% 2.5 ~4.0
疏水气相二氧化硅Hydrophobic-100型(HB-720):*
比表面积Specific surface area (BET) m2/g          100±30
悬浮液pH值(4%)pH-value in 4% dispersion        4.0~6.0
(水和乙醇按照1:1比例混合) 
干燥失重Loss on drying ( 105℃干燥2小时 )  wt%     ≤0.6 
灼烧减量Loss on ignition(1000℃燃烧 2h ,基于105℃干燥2h后产物 ) wt% ≤6.0 
二氧化硅含量Silica content (基于灼烧后产物) wt%    ≥99.8 
表现密度Tamped density (基于105℃干燥2h后产物)   50~90g/L 
碳含量Carbon content (基于105℃干燥2h后产物 ), wt% 3.5 ~5.0
99.999%
外观Appearance                                    White powder
灼烧失重Loss on Ignition                          ≤2.00 %(1000 Deg C, 1 Hour)
ICP: Confirms Silicon Component                   Confirmed
痕量金属Trace Metal Analysis                      ≤10.0 ppm
纯度Purity(metal basis)                          ≥99.999 %
备注:疏水性二氧化硅产品是由亲水型气相二氧化硅通过HMDS(六甲基二硅氮烷)处理后疏水气相二氧化硅,是一种高纯度的白色粉末。
                            
                                存储:密封保存。
                            
                                用途:硅标准液。水玻璃,硅的化合物的制备材料。在晶体管和集成电路中作杂质扩散的掩蔽膜和保护层,制成二氧化硅膜作集成电路器件。玻璃工业。
                            
                                联合编号:
                            
                                RISK:
                            
                                Safety:
                            
                                Hazard: